Suzhou Hongneng Industry Technology Co.,Ltd.

Français

Phone:
+86 18549908863

Select Language
Français
Barre omnibus en cuivre
Accueil> Liste de Produits > Jeu de barres> Barre omnibus en cuivre> Barre omnibus flexible anti-vibration pour armoire ESS
Barre omnibus flexible anti-vibration pour armoire ESS
Barre omnibus flexible anti-vibration pour armoire ESS
Barre omnibus flexible anti-vibration pour armoire ESS

Barre omnibus flexible anti-vibration pour armoire ESS

Obtenir le dernier prix
    Ombre:
    Features:
    • Quantité de commande minimum: 1
    Envoyer Une Demande
    Error
    * Please fill in your e-mail
    * Please fill in the content
    La description
    Attributs du produit

    ModèleEnergy Storage System-Flexible Copper Busbar

    marqueHTD

    OriginCHINE

    Capacité d'approvisionnement et informations supplémentaires

    Lieu d'origineCHINE

    Description du produit
    Barre omnibus flexible anti-vibration pour armoire ESS

    Positionnement personnalisé des barres omnibus en cuivre :

    La barre omnibus flexible antivibration pour armoire HTD ESS est un composant conducteur flexible de base dans les systèmes de stockage d'énergie à grande échelle, conçu pour une transmission efficace du courant entre les groupes de batteries et un découplage dynamique des contraintes. Utilisant une structure stratifiée multicouche de feuille de cuivre T2 (épaisseur 0,1 à 0,3 mm) liée via la technologie de processus de diffusion moléculaire (MDP), il forme un conducteur flexible capable de se plier en trois dimensions. Sa conception unique de tampon en forme de vague absorbe efficacement les vibrations et les impacts causés par le transport, les événements sismiques ou le fonctionnement à long terme (compensant le déplacement de ± 3 mm), avec une inductance parasite de ≤ 10 nH. Supportant un courant continu de 500 A à 5 000 A et une élévation de température de ≤ 35 K au courant nominal, sa couche d'isolation utilise des manchons en caoutchouc de silicone renforcé ou une gaine thermorétractable en polyoléfine réticulée, offrant une tension de tenue de ≥ 3 000 V CA, un indice de protection IP67 et une plage de température de fonctionnement de -40 °C à 105 °C. Ce jeu de barres réduit de 60 % le risque de fatigue sous contrainte aux points de connexion, améliorant ainsi la fiabilité des systèmes de stockage d'énergie dans des environnements difficiles et constituant un élément clé pour garantir une durée de vie de 25 ans dans les projets de stockage d'énergie au niveau du réseau.

    Paramètres de performance clés de la barre omnibus en cuivre :

    Category Specific Parameters Test Standard
    Substrate Structure Multi-layer T2 copper foil (thickness 0.1–0.3mm), copper layer volume ratio 15%-25% (adjustable) GB/T 5585.1
    Electrical Conductivity DC resistivity ≤0.026 Ω·mm²/m; carries 85%-90% current of equivalent solid copper busbar IEC 60287
    Rated Current
    Continuous current: 500A–5000A (section optimized); peak current ≥3x rated value
    IEC 60947
    Insulation & Protection Withstand voltage ≥3000V AC (60s); protection class IP67; creepage distance ≥10mm ISO 20653
    Mechanical Strength Tensile strength ≥150 MPa; vibration stability ≥20g (10–2000Hz) IEC 60068-2-6
    Seismic Performance
    Withstands seismic test at 0.5g acceleration (equivalent to magnitude 6 earthquake), safety factor 1.67 IEC 61166
    Thermal Cycle Life Withstands >3000 thermal cycles (-40°C to 105°C); resistance change rate ≤3% IEC 60068-2-14
    Connection Reliability
    Contact resistance ≤5μΩ; bolt torque retention rate ≥95% (post-vibration) Enterprise Standard
    Processus de base et flux de travail de fabrication :
    Conception de topologie sismique
    • Optimisation de la simulation dynamique : optimise le pas des vagues et le rayon de courbure grâce à une analyse par éléments finis simulant les ondes sismiques et les spectres de vibrations mécaniques, permettant au produit d'absorber 20 g d'énergie de vibration aléatoire avec une capacité de compensation de déplacement de ± 3 mm.
    • Conception de couplage électrothermique-mécanique : utilise une simulation de joint de circuit de champ 3D pour garantir une augmentation uniforme de la température (différence de température locale ≤ 5K) sous le courant nominal tout en maintenant une durée de vie en fatigue des segments flexibles de > 10 000 cycles.
    Intégration du processus de diffusion moléculaire (MDP)
    • Liaison à semi-conducteurs de feuille de cuivre multicouche : atteint une résistance au cisaillement interfacial ≥ 40 MPa et un écart de cohérence de résistance ≤ 1,5 % grâce au soudage par diffusion sous pression à chaud sous vide à 400–600 °C.
    • Traitement laser de précision : la découpe laser UV atteint une précision de ± 0,05 mm, évitant les bavures (hauteur ≤ 0,01 mm) qui pourraient percer la couche isolante.
     
    Intégration de protection multicouche
    • Architecture d'isolation renforcée : utilise une couverture complète avec des manchons en caoutchouc de silicone ou un laminage de film composite PET+PI (épaisseur 0,3 à 0,8 mm), offrant une tension de tenue ≥ 3 000 V CA et une classe d'ignifugation UL94 V-0.
    • Conception adaptable à l'environnement : la couche d'isolation est traitée avec un revêtement résistant à l'humidité et des bandes d'étanchéité, permettant un fonctionnement sans condensation dans des environnements à 95 % d'humidité, passant des tests de brouillard salin ≥ 1 000 heures.
    Étapes du flux du processus de production (version optimisée)
    Step Core Process Key Technical Points Output Standard
    1 Foil Stacking Automatic alignment of 20–40 layers of 0.1mm copper foil Stacking misalignment ≤0.1mm
    2 MDP Bonding Vacuum diffusion welding (400–600°C) Interfacial shear strength ≥40MPa
    3 Waveform forming Hydroforming + servo bending Wave pitch tolerance ±0.2mm
    4 Surface Treatment Selective tin/silver plating (5–15μm) Salt spray resistance ≥720h
    5 Insulation Integration Silicone sleeve heat shrinking + epoxy potting Insulation withstand voltage ≥3000V AC
    6 Comprehensive Testing
    Vibration, temperature rise, thermal cycle tests
    Defect rate ≤0.01%

    The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

    Contact Us Now
    Enter your inquiry details, We will reply you in 24 hours.
    Please fill in the information
    * Please fill in your e-mail
    * Please fill in the content

    Détails de Contact

    • Numéro De Téléphone: 86-18549908863
    • Portable: +86 18549908863
    • E-mail : liuhao@cn-hntech.com
    • Adresse De Compagnie: Building 1, No.8 Mocheng Avenue, Mocheng Street, Changshu City, Jiangsu Province,China, Suzhou, Jiangsu China

    Envoyer Une Demande

    Suivez-nous

    Copyright © 2026 Suzhou Hongneng Industry Technology Co.,Ltd.Tous droits réservés.
    Envoyer Une Demande
    *
    *

    We will contact you immediately

    Fill in more information so that we can get in touch with you faster

    Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

    envoyer